Snapdragon 8s Gen 4 sắp ra mắt: Mạnh mẽ nhưng không dùng lõi Oryon

Qualcomm có vẻ như sắp ra mắt một vi xử lý mới, có thể là Snapdragon 8s Gen 4. Thông tin này được hé lộ qua một đoạn teaser, cho thấy Qualcomm muốn tiếp tục cung cấp các chip mạnh mẽ nhưng không quá đắt đỏ cho các hãng điện thoại.

Lộ diện ngày ra mắt chip Ryzen 9 9950X3D

Thông tin rò rỉ từ mạng xã hội Weibo cho thấy chip Ryzen 9 9950X3D 16 nhân của AMD có thể ra mắt vào ngày 11 tháng 3. AMD trước đó đã xác nhận dòng chip Ryzen 9 9950X3D và 9900X3D sẽ ra mắt trong tháng 3, nhưng chưa công bố ngày cụ thể. Nếu thông tin rò rỉ chính xác, hai mẫu chip này sẽ trình làng chỉ trong khoảng ba tuần nữa.

Lộ diện sức mạnh chip AMD Ryzen 9 9900X3D và 9950X3D, hiệu năng tăng đáng kể!

Những thông tin rò rỉ ban đầu về hai con chip AMD Ryzen 9 9900X3D và 9950X3D sắp ra mắt đã xuất hiện trên Geekbench 6, hé lộ hiệu năng đầy hứa hẹn. Các bài kiểm tra cho thấy cả hai chip đều đạt điểm số ấn tượng ở cả đơn nhân và đa nhân. Cụ thể, Ryzen 9 9950X3D đạt 20,465 điểm đa nhân và 3,363 điểm đơn nhân, trong khi Ryzen 9 9900X3D đạt 19,227 điểm đa nhân và 3,274 điểm đơn nhân.

Galaxy S25 Edge Siêu Mỏng: Đánh Đổi Pin và Sạc

Samsung được cho là sẽ ra mắt Galaxy S25 Edge vào tháng 4, với thiết kế mỏng ấn tượng nhất trong các flagship năm 2025. Tuy nhiên, để đạt được độ mỏng này, hãng phải chấp nhận đánh đổi về dung lượng pin và tốc độ sạc. Theo chứng nhận 3C mới nhất, Galaxy S25 Edge chỉ được trang bị viên pin 3900mAh và hỗ trợ sạc 25W, thấp hơn so với pin 4000mAh của Galaxy S25 bản tiêu chuẩn. Đây là cái giá phải trả cho thiết kế siêu mỏng, đồng thời cho thấy Samsung vẫn chưa bắt kịp các tiêu chuẩn công nghệ mới nhất so với các đối thủ, đặc biệt là các nhà sản xuất smartphone Trung Quốc. Họ đã chuyển sang công nghệ pin silicon-carbon, cho phép trang bị pin dung lượng lớn hơn 6000mAh, trong khi Samsung và Apple vẫn đang tụt hậu. Ngay cả khi độ mỏng của S25 Edge là một trở ngại, pin silicon-carbon vẫn có thể giúp máy đạt dung lượng 5000mAh. Về tốc độ sạc, Samsung có thể giới hạn ở mức 25W để tránh quá nhiệt, ảnh hưởng đến tuổi thọ pin và thiết bị. Dù vậy, S25 Edge vẫn được trang bị chip Snapdragon 8 Elite với xung nhịp cao hơn so với thông thường. Tuy nhiên, điểm hiệu năng đa nhân của máy lại không đạt kỳ vọng, có thể do phần mềm chưa tối ưu hoặc độ mỏng gây ra tình trạng nghẽn cổ chai. Tóm lại, Galaxy S25 Edge sẽ có thời gian sử dụng pin ngắn hơn và sạc chậm hơn so với các phiên bản khác. Người dùng nên cân nhắc điều này trước khi quyết định lựa chọn sản phẩm.

Tin vui cho người dùng ASUS TUF Gaming A15 2024: AMD khắc phục lỗi độ trễ lõi xử lý Zen 5!

Trên các dòng chip AMD Zen 5, đặc biệt là Strix Point APU (bao gồm Ryzen AI 9 365, Ryzen AI 9 HX 370 và Ryzen AI 9 HX 375), người dùng đã gặp phải vấn đề độ trễ cao giữa các lõi xử lý (lên tới hơn 170ns!), gây ảnh hưởng nghiêm trọng đến hiệu năng đa luồng. Điều này đã được chứng minh trên cả máy tính để bàn và laptop.

CPU Intel Core Ultra 9 185H "Meteor Lake" đạt hiệu năng đa nhân ấn tượng trong bài kiểm tra mới nhất

Bài kiểm tra benchmark mới nhất của CPU Intel Core Ultra 9 185H "Meteor Lake" vừa bị rò rỉ và cho thấy hiệu năng đa nhân ấn tượng. Mặc dù chúng ta đã thấy điểm benchmark của CPU Intel Core Ultra 9 185H trên Geekbench 5 trước đây, nhưng kết quả trước đó khá khiêm tốn khi con chip này chỉ vượt qua được các chip Core i7 thế hệ trước một chút. Tuy nhiên, hiện tại chúng ta đã có bài kiểm tra benchmark mới nhất cho thấy hiệu năng tốt hơn nhiều, đặc biệt là trong các bài kiểm tra đa nhân, nơi CPU này hiện ngang hàng với các bộ xử lý dành cho người đam mê thuộc dòng "HX" có tốc độ xung nhịp cao hơn và TDP cao hơn nhiều.

CPU AMD Ryzen Threadripper Pro 7985WX 64 nhân nhanh hơn tới 64% so với thế hệ trước

CPU AMD Ryzen Threadripper Pro 7985WX 64 nhân dựa trên kiến trúc Zen 4 mới nhất đã xuất hiện trên Geekbench, cho thấy hiệu năng vượt trội so với các thế hệ trước.

Snapdragon 8s Gen 4 sắp ra mắt: Mạnh mẽ nhưng không dùng lõi Oryon

Qualcomm có vẻ như sắp ra mắt một vi xử lý mới, có thể là Snapdragon 8s Gen 4. Thông tin này được hé lộ qua một đoạn teaser, cho thấy Qualcomm muốn tiếp tục cung cấp các chip mạnh mẽ nhưng không quá đắt đỏ cho các hãng điện thoại.

Lộ diện ngày ra mắt chip Ryzen 9 9950X3D

Thông tin rò rỉ từ mạng xã hội Weibo cho thấy chip Ryzen 9 9950X3D 16 nhân của AMD có thể ra mắt vào ngày 11 tháng 3. AMD trước đó đã xác nhận dòng chip Ryzen 9 9950X3D và 9900X3D sẽ ra mắt trong tháng 3, nhưng chưa công bố ngày cụ thể. Nếu thông tin rò rỉ chính xác, hai mẫu chip này sẽ trình làng chỉ trong khoảng ba tuần nữa.

Lộ diện sức mạnh chip AMD Ryzen 9 9900X3D và 9950X3D, hiệu năng tăng đáng kể!

Những thông tin rò rỉ ban đầu về hai con chip AMD Ryzen 9 9900X3D và 9950X3D sắp ra mắt đã xuất hiện trên Geekbench 6, hé lộ hiệu năng đầy hứa hẹn. Các bài kiểm tra cho thấy cả hai chip đều đạt điểm số ấn tượng ở cả đơn nhân và đa nhân. Cụ thể, Ryzen 9 9950X3D đạt 20,465 điểm đa nhân và 3,363 điểm đơn nhân, trong khi Ryzen 9 9900X3D đạt 19,227 điểm đa nhân và 3,274 điểm đơn nhân.

Galaxy S25 Edge Siêu Mỏng: Đánh Đổi Pin và Sạc

Samsung được cho là sẽ ra mắt Galaxy S25 Edge vào tháng 4, với thiết kế mỏng ấn tượng nhất trong các flagship năm 2025. Tuy nhiên, để đạt được độ mỏng này, hãng phải chấp nhận đánh đổi về dung lượng pin và tốc độ sạc. Theo chứng nhận 3C mới nhất, Galaxy S25 Edge chỉ được trang bị viên pin 3900mAh và hỗ trợ sạc 25W, thấp hơn so với pin 4000mAh của Galaxy S25 bản tiêu chuẩn. Đây là cái giá phải trả cho thiết kế siêu mỏng, đồng thời cho thấy Samsung vẫn chưa bắt kịp các tiêu chuẩn công nghệ mới nhất so với các đối thủ, đặc biệt là các nhà sản xuất smartphone Trung Quốc. Họ đã chuyển sang công nghệ pin silicon-carbon, cho phép trang bị pin dung lượng lớn hơn 6000mAh, trong khi Samsung và Apple vẫn đang tụt hậu. Ngay cả khi độ mỏng của S25 Edge là một trở ngại, pin silicon-carbon vẫn có thể giúp máy đạt dung lượng 5000mAh. Về tốc độ sạc, Samsung có thể giới hạn ở mức 25W để tránh quá nhiệt, ảnh hưởng đến tuổi thọ pin và thiết bị. Dù vậy, S25 Edge vẫn được trang bị chip Snapdragon 8 Elite với xung nhịp cao hơn so với thông thường. Tuy nhiên, điểm hiệu năng đa nhân của máy lại không đạt kỳ vọng, có thể do phần mềm chưa tối ưu hoặc độ mỏng gây ra tình trạng nghẽn cổ chai. Tóm lại, Galaxy S25 Edge sẽ có thời gian sử dụng pin ngắn hơn và sạc chậm hơn so với các phiên bản khác. Người dùng nên cân nhắc điều này trước khi quyết định lựa chọn sản phẩm.

Tin vui cho người dùng ASUS TUF Gaming A15 2024: AMD khắc phục lỗi độ trễ lõi xử lý Zen 5!

Trên các dòng chip AMD Zen 5, đặc biệt là Strix Point APU (bao gồm Ryzen AI 9 365, Ryzen AI 9 HX 370 và Ryzen AI 9 HX 375), người dùng đã gặp phải vấn đề độ trễ cao giữa các lõi xử lý (lên tới hơn 170ns!), gây ảnh hưởng nghiêm trọng đến hiệu năng đa luồng. Điều này đã được chứng minh trên cả máy tính để bàn và laptop.

CPU Intel Core Ultra 9 185H "Meteor Lake" đạt hiệu năng đa nhân ấn tượng trong bài kiểm tra mới nhất

Bài kiểm tra benchmark mới nhất của CPU Intel Core Ultra 9 185H "Meteor Lake" vừa bị rò rỉ và cho thấy hiệu năng đa nhân ấn tượng. Mặc dù chúng ta đã thấy điểm benchmark của CPU Intel Core Ultra 9 185H trên Geekbench 5 trước đây, nhưng kết quả trước đó khá khiêm tốn khi con chip này chỉ vượt qua được các chip Core i7 thế hệ trước một chút. Tuy nhiên, hiện tại chúng ta đã có bài kiểm tra benchmark mới nhất cho thấy hiệu năng tốt hơn nhiều, đặc biệt là trong các bài kiểm tra đa nhân, nơi CPU này hiện ngang hàng với các bộ xử lý dành cho người đam mê thuộc dòng "HX" có tốc độ xung nhịp cao hơn và TDP cao hơn nhiều.

CPU AMD Ryzen Threadripper Pro 7985WX 64 nhân nhanh hơn tới 64% so với thế hệ trước

CPU AMD Ryzen Threadripper Pro 7985WX 64 nhân dựa trên kiến trúc Zen 4 mới nhất đã xuất hiện trên Geekbench, cho thấy hiệu năng vượt trội so với các thế hệ trước.